根據(jù)《華中科技大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化管理辦法》規(guī)定，對我校集成電路學(xué)院傅邱云老師團(tuán)隊(duì)的“一種基于多鐵異質(zhì)結(jié)交換偏置效應(yīng)的電寫磁讀存儲(chǔ)器”成果轉(zhuǎn)化相關(guān)事項(xiàng)公示如下：
一、成果名稱及簡介：
成果包含1項(xiàng)知識產(chǎn)權(quán)：
發(fā)明專利：一種基于多鐵異質(zhì)結(jié)交換偏置效應(yīng)的電寫磁讀存儲(chǔ)器
發(fā)明人：傅邱云，仲世豪，周令
專利號：ZL201910415264.6
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：基于多鐵材料的磁電存儲(chǔ)器具有非易失性、高速度、低功耗和高密度特點(diǎn)，兼具動(dòng)態(tài)RAM、磁盤存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能，是下一代超低功耗存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域重要研究方向。研究多鐵異質(zhì)結(jié)磁電與界面交換耦合，詮釋界面上晶格、軌道、自旋、電荷狀態(tài)的演化過程，始終是本領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。基于磁電與界面交換耦合的可逆電場調(diào)控交換偏置效應(yīng)被用于設(shè)計(jì)多種磁電存儲(chǔ)器，但目前研究結(jié)果中其截止溫度過低導(dǎo)致工作溫度難以達(dá)到室溫，限制了磁電存儲(chǔ)器的實(shí)際應(yīng)用。本項(xiàng)目選擇高居里溫度的反尖晶石型鐵氧體MFe2O4（M=Fe、Co、Ni）作為鐵磁材料，采用外延生長的方式制備高質(zhì)量的薄膜和MFe2O4/BiFeO3異質(zhì)結(jié)；設(shè)計(jì)簡單易操作的器件模型，系統(tǒng)地研究電控交換偏置耦合效應(yīng)的形成機(jī)制，研究異質(zhì)界面狀態(tài)的演化過程，找出影響可逆操作的關(guān)鍵因素，提高異質(zhì)結(jié)交換偏置的截止溫度至300K左右，發(fā)展出相關(guān)理論，在室溫下實(shí)現(xiàn)交換偏置效應(yīng)的可逆電場調(diào)控。
二、擬交易價(jià)格
協(xié)議轉(zhuǎn)讓：50.4萬元。
三、價(jià)格形成過程
學(xué)校委托評估公司對該項(xiàng)目進(jìn)行資產(chǎn)評估，評估價(jià)值為50.14萬元。經(jīng)全體發(fā)明人同意，并與蘇州寬溫電子科技有限公司協(xié)商，雙方同意以協(xié)議定價(jià)50.4萬元實(shí)施轉(zhuǎn)讓。
特此公示，公示期15日，自2023年7月7日起至2023年7月21日。如有異議，請于公示期內(nèi)以書面形式實(shí)名向我院反映。
聯(lián)系人：譚老師，曹老師
聯(lián)系電話：87558732
科學(xué)技術(shù)發(fā)展院
2023年7月7日
