<fieldset id="ogssy"><del id="ogssy"></del></fieldset>
  • <tbody id="ogssy"></tbody>
  • 色狠狠久久Av五月综合,在线观看日本三级,国产精品一区视频,欧美日本在线一区二区三区

    Cinque Terre

    公示

    首頁(yè) - 公示 - 正文

    科技成果轉(zhuǎn)化公示〔2024〕16號(hào)——一種高儲(chǔ)能密度介電復(fù)合多層薄膜及其制備方法等兩項(xiàng)專利

    來(lái)源:    作者:    發(fā)布時(shí)間:2024-04-02    閱讀量:


    根據(jù)《華中科技大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化管理辦法》規(guī)定,對(duì)我校材料科學(xué)與工程學(xué)院張海波老師團(tuán)隊(duì)的“一種高儲(chǔ)能密度介電復(fù)合多層薄膜及其制備方法等兩項(xiàng)專利”成果轉(zhuǎn)化相關(guān)事項(xiàng)公示如下:

    一、成果名稱及簡(jiǎn)介:

    成果包含2項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán):

    (1)發(fā)明專利:一種高儲(chǔ)能密度介電復(fù)合多層薄膜及其制備方法

    發(fā)明人:張海波、范鵬元、莫辛·阿里·馬瓦特、劉凱

    專利號(hào):ZL201911156235.9

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)

    簡(jiǎn)介:本發(fā)明屬于薄膜材料領(lǐng)域,并公開了一種高儲(chǔ)能密度介電復(fù)合多層薄膜及其制備方法。該復(fù)合多層薄膜包括:頂層、中間層和底層,其中,頂層和底層的材料均為PEI,中間層的材料為PVDF,該中間層中填充有Ag包覆的納米BaTiO3顆粒,該復(fù)合多層薄膜在500~650MV/m的電場(chǎng)強(qiáng)度下最高達(dá)到20.6~21.3J/cm3的儲(chǔ)能性能,儲(chǔ)能效率最高達(dá)到80~82%。同時(shí)本發(fā)明還公開了該復(fù)合多層薄膜的制備方法。通過本發(fā)明,有效提高了電介質(zhì)材料的儲(chǔ)能密度、儲(chǔ)能效率、擊穿場(chǎng)強(qiáng)和溫度穩(wěn)定性。

    (2)發(fā)明專利:一種三元共混的高儲(chǔ)能聚合物基介電薄膜及其制備方法

    發(fā)明人:張海波、劉凱、范鵬元、南博、譚劃

    專利號(hào):ZL202011207594.5

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)

    簡(jiǎn)介:本發(fā)明公開一種三元共混的高儲(chǔ)能聚合物基介電薄膜及其制備方法,該三元共混的高儲(chǔ)能聚合物基介電薄膜是由聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯六氟丙烯和聚甲基丙烯酸甲酯共混、流延、淬火制成,聚甲基丙烯酸甲酯在介電薄膜中的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30~50%,聚偏氟乙烯與聚偏氟乙烯六氟丙烯分子在介電薄膜中的質(zhì)量比為x:(6?x),1.5<x<4.5。本發(fā)明通過控制介電薄膜的淬火溫度和共聚物的質(zhì)量比例,使得所形成的聚合物介電薄膜具有650~750kV/mm的擊穿強(qiáng)度,最高達(dá)到18~25J/cm3的儲(chǔ)能性能,儲(chǔ)能效率最高達(dá)到75%~85%。與傳統(tǒng)的聚合物基電介質(zhì)材料相比,大幅度提高了擊穿強(qiáng)度,改善了電介質(zhì)電容器的儲(chǔ)能特性。

    二、擬交易價(jià)格

    協(xié)議轉(zhuǎn)讓:55萬(wàn)元。

    三、價(jià)格形成過程

    學(xué)校委托評(píng)估公司對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行資產(chǎn)評(píng)估,評(píng)估價(jià)值為55萬(wàn)元。經(jīng)全體發(fā)明人同意,并與東莞市普隆電子有限公司協(xié)商,雙方同意以協(xié)議定價(jià)55萬(wàn)元實(shí)施轉(zhuǎn)讓。

    特此公示,公示期15日,自2024年4月2日起至2024年4月16日。如有異議,請(qǐng)于公示期內(nèi)以書面形式實(shí)名向我院反映。

    聯(lián)系人:譚老師、楊老師

    聯(lián)系電話:87558732

    科學(xué)技術(shù)發(fā)展院

    2024年4月2日

    ?版權(quán)所有:華中科技大學(xué)科學(xué)技術(shù)發(fā)展院

    地址: 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)南三樓109、110,南一樓西樓102,東一樓340 郵政編碼:430074 Tel:027-87543315 027-87558732 027-87559760 mail:iat@hust.edu.cn