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    公示

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    科技成果轉(zhuǎn)化公示〔2024〕13號(hào)——一種基于摻雜型NiO空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法等六項(xiàng)無(wú)形資產(chǎn)

    來(lái)源:    作者:    發(fā)布時(shí)間:2024-03-08    閱讀量:


    根據(jù)《華中科技大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化管理辦法》規(guī)定,對(duì)武漢光電國(guó)家研究中心陳煒老師團(tuán)隊(duì)的“一種基于摻雜型NiO空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法”等六項(xiàng)無(wú)形資產(chǎn)成果轉(zhuǎn)化相關(guān)事項(xiàng)公示如下:

    一、成果名稱及簡(jiǎn)介:

    成果包含如下6項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán):

    (1)發(fā)明專利:一種基于摻雜型NiO空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法

    發(fā)明人:陳煒、張文君、曾憲偉、王歡

    專利號(hào):ZL201510450181.2

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)

    簡(jiǎn)介:發(fā)明公開(kāi)了一種基于摻雜型NiO空穴傳輸層的反式平面結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能結(jié)構(gòu)及其制備方法。屬于新材料太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,現(xiàn)有技術(shù)中鈣鈦礦太陽(yáng)能電池存在電池穩(wěn)定性差、光電轉(zhuǎn)換性能差等問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種基于摻雜型NiO空穴傳輸層的反式平面結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,其包括在導(dǎo)電基底上沉積一層摻雜一定濃度的Mg、Li等原子摻雜NiO致密層,作為空穴傳輸層,接著制備一層鈣鈦礦薄膜(APbX3,A=CH3NH3+或CH(NH2)2+或兩者混合物;X=Cl-、Br-、I-或其混合物),隨后沉積一層電子傳輸層PCBM,接著沉積一層界面修飾層(包括LiF、BCP或TiOX的一種),最后沉積一層金屬電極(Ag或Al)。所述摻雜型NiO致密膜作為空穴傳輸層,電池性能穩(wěn)定、高效、遲滯現(xiàn)象小,有利于實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化。

    (2)發(fā)明專利:鈣鈦礦薄膜及其制備方法和應(yīng)用

    發(fā)明人:陳煒、吳紹航、張文君

    專利號(hào):ZL201810683527.7

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)

    簡(jiǎn)介:公開(kāi)一種大面積高質(zhì)量高均勻性鈣鈦礦薄膜及其制備方法和應(yīng)用,鈣鈦礦薄膜按如下方法制備:在鈣鈦礦的前驅(qū)液中加入一定量的二苯基亞礬,攪拌至充分溶解;將上述溶液制備成一層前驅(qū)液薄膜;對(duì)前驅(qū)液薄膜進(jìn)行萃取處理,退火處理即得;應(yīng)用上述鈣鈦礦薄膜的鈣鈦礦模組包括透明基底、透明電極、第一傳輸層、鈣鈦礦薄膜、第二傳輸層和背電極。本發(fā)明通過(guò)在鈣鈦礦的前驅(qū)液中添加二苯基亞礬固體添加劑,與鈣鈦礦材料形成配位,使得前驅(qū)液薄膜穩(wěn)定化,從而獲得較大的工藝窗口以便應(yīng)用于大面積制備技術(shù)中;利用萃取劑將前驅(qū)液薄膜中的二苯基亞砜和殘留的溶劑萃取出來(lái)得到鈣鈦礦薄膜,并通過(guò)退火處理,提高薄膜結(jié)晶性并去除其他殘留物質(zhì)。

    (3)發(fā)明專利:鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、雙層金屬電極及其制備方法

    發(fā)明人:陳煒、陳銳、吳紹航

    專利號(hào):ZL201711114309.3

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)

    簡(jiǎn)介:

    公開(kāi)了一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、用于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的雙層金屬電極及其制備方法,鈣鈦礦太陽(yáng)能電池包括玻璃基底、透明導(dǎo)電電極、空穴傳輸層、鈣鈦礦薄膜、電子傳輸層及雙層金屬電極;雙層金屬電極包括第一金屬薄膜層及第二金屬薄膜層,其制備方法包括:在電子傳輸層一側(cè)表面沉積一層第一金屬薄膜層,在第一金屬薄膜層上沉積一層第二金屬薄膜層。本發(fā)明通過(guò)在電子傳輸層上低溫真空蒸鍍一層具有化學(xué)惰性的第一金屬薄膜層,并在第一金屬薄膜層上設(shè)置高導(dǎo)電率的第二金屬薄膜層,其可在不降低光電轉(zhuǎn)化效率的基礎(chǔ)上,有效的隔離濕氣的滲透并降低對(duì)第二金屬薄膜層的化學(xué)腐蝕,其有利于提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的穩(wěn)定性。

    (4)發(fā)明專利:一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件及其封裝方法

    發(fā)明人:陳煒、劉宗豪、周靜

    專利號(hào):ZL202110109093.1

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)

    簡(jiǎn)介:涉及鈣鈦礦太陽(yáng)能電池封裝領(lǐng)域,提供了一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件及其封裝方法。該鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件包括玻璃基板、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、惰性阻隔層、蓋板以及蓋板封裝膠;鈣鈦礦太陽(yáng)能電池設(shè)于玻璃基板上,惰性阻隔層設(shè)于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池上,蓋板通過(guò)蓋板封裝膠無(wú)間隙貼合設(shè)于惰性阻隔層上。本發(fā)明提供的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件及其封裝方法通過(guò)采用先惰性阻隔層封裝后蓋板無(wú)間隙貼合封裝的組合封裝方式,可以顯著提升鈣鈦礦電池器件在高溫(65-85℃)和光照聯(lián)合作用下的穩(wěn)定性。

    (5)實(shí)用新型專利:一種基于鉍基金屬電極的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池

    發(fā)明人:陳煒、劉宗豪、周靜

    專利號(hào):ZL202121710960.9

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)

    簡(jiǎn)介:涉及一種基于鉍基金屬電極的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,包括由下至上依次層疊設(shè)置的玻璃基底,透明導(dǎo)電電極層、第一電荷傳輸層、鈣鈦礦薄膜、第二電荷傳輸層和鉍基金屬電極層,所述金屬電極層為鉍金屬層或鉍基合金層;所述第一電荷傳輸層為空穴傳輸層且所述第二電荷傳輸層為電子傳輸層,或者所述第一電荷傳輸層為電子傳輸層且所述第二電荷傳輸層為空穴傳輸層。基于本實(shí)用新型的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池具有獨(dú)特的耐鹵素腐蝕的特性,光電轉(zhuǎn)換效率高、穩(wěn)定性好。

    (6)實(shí)用新型專利:一種三明治結(jié)構(gòu)金屬電極及鈣鈦礦太陽(yáng)能電池

    發(fā)明人:陳煒、劉宗豪、王海鑫

    專利號(hào):ZL202221649902.4

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)

    簡(jiǎn)介:涉及一種用于鈣鈦礦太陽(yáng)電池的三明治結(jié)構(gòu)金屬電極及鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,包括:金屬層、位于金屬層下方的第一金屬氧化物層以及位于金屬層上方的第二金屬氧化物層。基于本實(shí)用新型的用于鈣鈦礦電池的三明治結(jié)構(gòu)金屬電極,在金屬層和電荷傳輸層之間設(shè)置第一金屬氧化物層,可以阻止金屬擴(kuò)散對(duì)下層鈣鈦礦材料摻雜,以及防止鈣鈦礦中離子和分子的擴(kuò)散和揮發(fā),從而影響鈣鈦礦材料的穩(wěn)定性;且在金屬層上設(shè)置第二金屬氧化物層可保護(hù)電極免受外界氧氣和水分的侵蝕,可進(jìn)一步保護(hù)鈣鈦礦層和其他功能層免受外部有害因素的影響,從而增強(qiáng)整個(gè)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件的穩(wěn)定性。

    二、擬交易價(jià)格

    協(xié)議轉(zhuǎn)讓:154.61萬(wàn)元

    三、價(jià)格形成過(guò)程

    學(xué)校委托評(píng)估公司對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行資產(chǎn)評(píng)估,評(píng)估價(jià)值為250.58萬(wàn)元。經(jīng)全體發(fā)明人同意,第(1)項(xiàng)專利以協(xié)議定價(jià)58.64萬(wàn)轉(zhuǎn)讓給武漢九享大眾科技有限公司。第(2)、(3)、(4)、(5)、(6)項(xiàng)專利經(jīng)全體發(fā)明人同意,并與共有權(quán)利人華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院協(xié)商,各方同意華中科技大學(xué)所占該成果的50%份額以協(xié)議定價(jià)95.97萬(wàn)元轉(zhuǎn)讓給武漢九享大眾科技有限公司。

    特此公示,公示期15日,自2024年3月8日起至2024年3月22日。如有異議,請(qǐng)于公示期內(nèi)以書(shū)面形式實(shí)名向我院反映。

    聯(lián)系人:譚老師,楊老師

    聯(lián)系電話:87558732

    科學(xué)技術(shù)發(fā)展院

    2024年3月8日

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