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    公示

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    科技成果轉(zhuǎn)化公示〔2024〕1號——薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制芯片設(shè)計(jì)與制備方法

    來源:    作者:    發(fā)布時間:2024-01-05    閱讀量:


    根據(jù)《華中科技大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化管理辦法》規(guī)定,對我校武漢光電國家研究中心夏金松老師團(tuán)隊(duì)的“薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制芯片設(shè)計(jì)與制備方法”成果轉(zhuǎn)化相關(guān)事項(xiàng)公示如下:

    一、成果名稱及簡介:

    成果包含如下4項(xiàng)知識產(chǎn)權(quán):

    (1)發(fā)明專利:一種薄膜鈮酸鋰單偏振波導(dǎo)及其制備方法

    發(fā)明人:夏金松、劉宇恒、曾成

    專利號:ZL201911279183.4

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)

    簡介:本發(fā)明公開了一種薄膜鈮酸鋰單偏振波導(dǎo)及其制備方法,屬于集成光子學(xué)領(lǐng)域。該波導(dǎo)從上至下包括上包層、鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)芯層、下包層和襯底層;所述鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)芯層包括脊形波導(dǎo)和位于所述脊形波導(dǎo)兩側(cè)的槽形區(qū)域;脊形波導(dǎo)的寬度和刻蝕深度小于TM0模式存在截止值,脊形波導(dǎo)中的TM0模式與和所述槽形區(qū)域中的TE1模式發(fā)生交叉耦合;槽形區(qū)域的寬度取值使得從所述脊形波導(dǎo)中TM0模式耦合到兩側(cè)槽形區(qū)域的TE1模式與泄漏到槽形區(qū)域的TM0模式發(fā)生相干相長。通過優(yōu)化微納光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù),獲得僅支持TE0模式穩(wěn)定傳輸?shù)牟▽?dǎo)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中的薄膜鈮酸鋰單偏振波導(dǎo)對光場的限制能力強(qiáng),提高了器件的集成度,簡化了工藝流程。

    (2)發(fā)明專利:一種基于鈮酸鋰薄膜的大模斑水平端面耦合器

    發(fā)明人:夏金松、胡暢然、曾成、瞿智成

    專利號:ZL202110890825.5

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)

    簡介:本發(fā)明公開了一種基于鈮酸鋰薄膜的大模斑水平端面耦合器,屬于集成光器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述耦合器包括雙層倒錐和包層波導(dǎo);所述雙層倒錐包括上層倒錐和下層倒錐;所述下層倒錐材料為二氧化硅和鈮酸鋰,所述上層倒錐材料為鈮酸鋰;所述包層波導(dǎo)覆蓋于所述雙層倒錐上,所述包層波導(dǎo)的材料為氮氧化硅,包層波導(dǎo)的截面呈現(xiàn)出圓頂凸字形。所述下層倒錐延伸至耦合器芯片端面;所述上層倒錐截止于所述下層倒錐的鈮酸鋰層之上。本發(fā)明基于鈮酸鋰薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加額外光刻步驟的情況下,增大耦合器模斑尺寸,提升耦合器耦合效率。

    (3)發(fā)明專利:基于行波電極結(jié)構(gòu)的硅基薄膜鈮酸鋰寬帶電光調(diào)制器芯片

    發(fā)明人:曾成、李廷安、夏金松

    專利號:ZL2023107468187

    專利權(quán)人:華中科技大學(xué)

    簡介:本發(fā)明公開了一種基于行波電極結(jié)構(gòu)的硅基薄膜鈮酸鋰寬帶電光調(diào)制器芯片,屬于電光調(diào)制技術(shù)領(lǐng)域,包括:在鈮酸鋰上刻蝕的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及電極結(jié)構(gòu);所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括:輸入波導(dǎo)、光分束器、第一直波導(dǎo)、第一彎曲波導(dǎo)、第二直波導(dǎo)、第二彎曲波導(dǎo)、光合束器及輸出波導(dǎo);所述電極結(jié)構(gòu)包括:GSG型平面電極及設(shè)在GSG型平面電極兩側(cè)內(nèi)的容性負(fù)載行波電極,且所述容性負(fù)載行波電極對稱排布在所述第一直波導(dǎo)和所述第二直波導(dǎo)兩側(cè)。本發(fā)明通過在兩個調(diào)制直波導(dǎo)之后設(shè)置對應(yīng)的彎曲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)以及容性負(fù)載行波電極,能夠有效改善硅基薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器的阻抗匹配、降低射頻反射、提升電光調(diào)制器的帶寬,并顯著降低制備工藝的難度。

    (4)發(fā)明專利申請:一種基于薄膜鈮酸鋰的高速線性調(diào)頻外腔激光器

    發(fā)明人:夏金松、陶詩琦、曾成、袁帥

    申請?zhí)枺篊N2021112552347

    專利申請權(quán)人:華中科技大學(xué)

    簡介:本發(fā)明涉及一種基于薄膜鈮酸鋰的高速線性調(diào)頻外腔激光器,屬于外腔激光器領(lǐng)域,本發(fā)明提出了一種基于薄膜鈮酸鋰的高速線性調(diào)頻外腔激光器,該外腔激光器包括半導(dǎo)體光放大器、窄帶反射濾波芯片和輸出光纖。半導(dǎo)體光放大器用于光放大;窄帶反射濾波芯片基于薄膜鈮酸鋰材料構(gòu)建,用于選出具有高邊模抑制比的諧振峰;輸出光纖用于輸出激光。半導(dǎo)體光放大器和窄帶反射濾波芯片組成光學(xué)諧振腔。本發(fā)明中的基于薄膜鈮酸鋰的高速線性調(diào)頻外腔激光器不僅可實(shí)現(xiàn)高速線性調(diào)頻激光可控輸出,大幅度提高可調(diào)諧激光器的波長切換速率,而且結(jié)構(gòu)簡單緊湊,制備工藝簡單,成本低廉。

    二、擬交易價(jià)格

    協(xié)議轉(zhuǎn)讓:165.7萬元。

    三、價(jià)格形成過程

    學(xué)校委托評估公司對該項(xiàng)目進(jìn)行資產(chǎn)評估,評估價(jià)值為165.7萬元。經(jīng)全體發(fā)明人同意,并與武漢智能裝備工業(yè)技術(shù)研究院有限公司協(xié)商,雙方同意以協(xié)議定價(jià)165.7萬元實(shí)施轉(zhuǎn)讓。

    特此公示,公示期15日,自2024年1月5日起至2024年1月19日。如有異議,請于公示期內(nèi)以書面形式實(shí)名向我院反映。

    聯(lián)系人:譚老師、楊老師

    聯(lián)系電話:87558732

    科學(xué)技術(shù)發(fā)展院

    2024年1月5日

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