根據(jù)《華中科技大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化管理辦法》規(guī)定，對我校機械科學(xué)與工程學(xué)院廖廣蘭老師團隊的“微傳感器與高頻超聲檢測技術(shù)”成果轉(zhuǎn)化相關(guān)事項公示如下：
一、成果名稱及簡介：
成果包含如下6項知識產(chǎn)權(quán)：
（1）發(fā)明專利：一種基于稀疏的微小缺陷高頻超聲顯微成像超分辨的方法
發(fā)明人：廖廣蘭，張貽春，史鐵林，王西彬，湯自榮，洪源，王肖，陳科鵬
專利號：ZL201610827780.6
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明屬于稀疏超分辨檢測領(lǐng)域，并公開了一種基于稀疏的微小缺陷高頻超聲顯微成像超分辨的方法。該方法包括如下步驟：執(zhí)行過采樣高頻超聲顯微C掃成像；根據(jù)過采樣時的采樣步長與超聲探頭分辨率，計算出探頭點擴散函數(shù)k；由點擴散函數(shù)根據(jù)進行稀疏超分辨計算，獲得最終高分辨圖像。本發(fā)明方法實現(xiàn)了高頻顯微成像對現(xiàn)微小缺陷進行超分辨顯微成像，增強圖像信噪比和分辨率，提高微小缺陷檢測的準確性，同時對于微觀缺陷的檢測有著重要意義，有效推動了微器件可靠性的發(fā)展。
（2）發(fā)明專利：一種雙波段薄膜光探測器及其制備方法
發(fā)明人：廖廣蘭，孫博，吳悠妮，史鐵林，譚先華，劉智勇，湯自榮
專利號：ZL201710227924.9
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件領(lǐng)域，并公開了一種雙波段薄膜光探測器，包括基底薄片、第一電極層、第一WSe2層、石墨烯層、第一MoS2層、第二電極層、介質(zhì)層、第二WSe2層、第三電極層、第二MoS2層和第四電極層,第一電極層設(shè)置在基底薄片上；第一WSe2層鋪設(shè)在基底薄片和第一電極層上；石墨烯層設(shè)置在第一WSe2層上；第一MoS2層設(shè)置在石墨烯層上；第二電極層設(shè)置在第一MoS2層上；介質(zhì)層鋪設(shè)在第一MoS2層和第二電極層上；第二WSe2層設(shè)置在介質(zhì)層上；第三電極層和第二MoS2層設(shè)置在第二WSe2層上；第四電極層設(shè)置在第二MoS2層上。本發(fā)明所采用的載流子遷移率高，在可見光波段的光吸收特性好。
（3）發(fā)明專利：一種基于ANSYS參數(shù)化設(shè)計語言的的三維模型梯度有限元求解方法
發(fā)明人：廖廣蘭，譚先華，邵杰，史鐵林，湯自榮，孫博，林建斌，陳科鵬
專利號：ZL201710659044.9
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明屬于有限元模擬領(lǐng)域，并公開了一種基于ANSYS參數(shù)化設(shè)計語言的三維模型梯度有限元求解方法，該方法主要包括如下步驟：模型前處理，求解器設(shè)置并求解；提取目標變量和節(jié)點自然坐標；求解形函數(shù)導(dǎo)數(shù)矩陣；求解雅各比列矩陣；求解雅各比列矩陣逆矩陣；計算插值點變量梯度；單元梯度值積分求單元解。本發(fā)明方法避免了同類問題導(dǎo)出數(shù)據(jù)、二次求解、費時費力的缺點，實現(xiàn)了后處理過程中梯度值的快速求解，能夠大幅降低計算時間。
（4）發(fā)明專利：一種硫化鉬鈣鈦礦復(fù)合柔性光探測陣列器件及其制備方法
發(fā)明人：廖廣蘭，孫博，王子奕，史鐵林，譚先華，劉智勇，劉星月，葉海波
專利號：ZL201811133721.4
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種硫化鉬鈣鈦礦復(fù)合柔性光探測陣列器件及其制備方法，其制備方法包括以下步驟：(1)采用化學(xué)氣相沉積工藝制備連續(xù)硫化鉬薄膜；(2)將連續(xù)硫化鉬薄膜刻蝕成多個硫化鉬薄膜塊以形成硫化鉬薄膜方形陣列，并在每個硫化鉬薄膜塊上制備金屬對準標記；(3)將所述硫化鉬薄膜方形陣列及所述金屬對準標記同步轉(zhuǎn)移至柔性基底表面上；(4)在所述硫化鉬薄膜的表面制備金屬電極，并在所述硫化鉬薄膜方形陣列的外側(cè)形成疏水層；(5)將鈣鈦礦溶液涂覆在所述硫化鉬薄膜的表面以形成鈣鈦礦薄膜陣列，并進行封裝，直至制備完成。本發(fā)明提高了質(zhì)量，靈活性及穩(wěn)定性較好，響應(yīng)速度快。
（5）發(fā)明專利：一種仿視網(wǎng)膜成像的硫化鉬光探測器及其制備方法
發(fā)明人：孫博,張許寧,廖廣蘭,王子奕,劉智勇
專利號：ZL202010716183.2
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種仿視網(wǎng)膜成像的硫化鉬光探測器及其制備方法，屬于微納制造與光電子器件領(lǐng)域，其中制備方法包括：在剛性襯底表面沉積犧牲層，在犧牲層表面涂敷柔性基底；在柔性基底表面沉積絕緣層，將石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至絕緣層表面，對石墨烯薄膜進行刻蝕，得到石墨烯陣列電極；將硫化鉬薄膜轉(zhuǎn)移至石墨烯陣列電極表面，將硫化鉬薄膜刻蝕為多個規(guī)則圖形，構(gòu)成柔性器件陣列；將柔性器件陣列從剛性襯底剝離后與球形襯底表面拼接，得到球形的硫化鉬光探測器。本發(fā)明制備得到的仿視網(wǎng)膜成像的硫化鉬光探測器，可以同時滿足柔性、球面共形、空間變分辨率成像的要求。
（6）發(fā)明專利：一種基于石英晶體微天平的多傳感器陣列及其制備方法
發(fā)明人：廖廣蘭，林建斌，史鐵林，何春華，羅京，孔令賢
專利號：ZL202010851263.9
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種基于石英晶體微天平的多傳感器陣列及其制備方法，器件結(jié)構(gòu)包括在石英晶振片，包覆于晶振片表面的上下電極，在石英晶振片表面的上電極表面定點形成的敏感層陣列。制備方法主要包括：在晶振片表面光刻電極圖案；對電極圖案之外的光刻膠及光刻膠表面的電極材料進行剝離；于電極表面光刻敏感層圖案；于上述敏感層圖案表面沉積敏感層材料；對敏感層圖案之外的光刻膠及光刻膠表面的敏感材料進行剝離；重復(fù)上述操作，對已有敏感層圖案的電極表面進行套刻直到制備完成敏感陣列。本發(fā)明所設(shè)計的一種基于石英晶體微天平的多傳感器陣列及其制備方法，可以同時檢測多種目標傳感對象，提升檢測范圍，提高檢測效率，得到更準確的測試結(jié)果。
二、擬交易價格
協(xié)議轉(zhuǎn)讓：74.21萬元。
三、價格形成過程
學(xué)校委托評估公司對該項目進行資產(chǎn)評估，評估價值為74.21萬元。經(jīng)全體發(fā)明人同意，并與武漢智能裝備工業(yè)技術(shù)研究院有限公司協(xié)商，雙方同意以協(xié)議定價74.21萬元實施轉(zhuǎn)讓。
特此公示，公示期15日，自2023年12月27日起至2024年1月10日。如有異議，請于公示期內(nèi)以書面形式實名向我院反映。
聯(lián)系人：譚老師、楊老師
聯(lián)系電話：87558732
科學(xué)技術(shù)發(fā)展院
2023年12月27日
