根據(jù)《華中科技大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化管理辦法》規(guī)定，對(duì)我校武漢光電國(guó)家研究中心孫軍強(qiáng)團(tuán)隊(duì)的“一種鍺硅量子阱電致折射率調(diào)制器和集成光電子器件”成果轉(zhuǎn)化相關(guān)事項(xiàng)公示如下：
一、成果名稱及簡(jiǎn)介：
成果包含如下1項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)：
（1）發(fā)明專利：一種鍺硅量子阱電致折射率調(diào)制器和集成光電子器件
發(fā)明人：孫軍強(qiáng)，張意
專利號(hào)：ZL201811529867.0
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種鍺硅量子阱電致折射率調(diào)制器和集成光電子器件,包括:P型硅襯底,P型鍺硅合金緩沖層,本征鍺硅合金下隔離層,本征鍺硅合金耦合量子阱層,本征鍺硅合金上隔離層,N型鍺硅合金蓋層,本征鍺硅合金耦合量子阱層由多個(gè)非對(duì)稱耦合量子阱組成,單個(gè)非對(duì)稱耦合量子阱由兩個(gè)不同寬度的量子阱,一個(gè)中間薄壁壘,兩個(gè)側(cè)邊壁壘組成,相鄰兩個(gè)非對(duì)稱耦合量子阱共用一個(gè)側(cè)邊壁壘區(qū),兩個(gè)側(cè)邊壁壘的鍺硅合金組分配比相同,中間薄壁壘的Ge含量必須低于所述兩個(gè)側(cè)邊壁壘.中間壘區(qū)Ge含量低的非對(duì)稱耦合量子阱,勢(shì)壘高度比兩側(cè)勢(shì)壘區(qū)高,防止中間壘區(qū)兩側(cè)的量子阱在無外加電場(chǎng)時(shí)發(fā)生耦合,在加電場(chǎng)發(fā)生耦合時(shí),對(duì)兩個(gè)量子阱的耦合控制效果更好.
二、擬交易價(jià)格
普通許可：75萬元。
三、價(jià)格形成過程
經(jīng)全體發(fā)明人同意，并與深圳愛德泰科技有限公司協(xié)商，雙方同意該成果以協(xié)議定價(jià)75萬元實(shí)施許可，期限5年。
特此公示，公示期15日，自2023年3月17日起至2023年3月31日。如有異議，請(qǐng)于公示期內(nèi)以書面形式實(shí)名向我院反映。
聯(lián)系人：曹老師，譚老師
聯(lián)系電話：87558732
科學(xué)技術(shù)發(fā)展院
2023年3月17日
