根據(jù)《華中科技大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化管理辦法》規(guī)定，對“片式敏感電阻”成果轉(zhuǎn)化相關(guān)事項(xiàng)公示如下：
一、成果名稱及簡介：
該成果包含如下13項(xiàng)知識產(chǎn)權(quán)：
（1）發(fā)明專利：一種低溫?zé)Y(jié)疊層片式鈦酸鋇熱敏陶瓷的制備方法
發(fā)明人：傅邱云,周東祥,胡云香,鄭志平,羅為,趙俊,祖昊
專利號：ZL201310570899.6
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種低溫?zé)Y(jié)疊層片式鈦酸鋇熱敏陶瓷的制備方法，鈦酸鋇陶瓷材料的化學(xué)組成通式為：(Ba1-xLax)1.005TiO3，其中1‰≤x≤10‰。該方法通過溶膠凝膠法制備的摻鑭的納米鈦酸鋇粉體，經(jīng)流延成型、切片、排膠，然后通過還原再氧化燒結(jié)制得PTC熱敏電阻器。該方法采用溶膠凝膠法制備納米或亞微米原料粉體，并在制備粉體的過程中同時引入微量摻雜的納米半導(dǎo)化元素等，并采用還原再氧化的工藝制備陶瓷元件；目的在于實(shí)現(xiàn)分子級微量元素的均勻摻雜，在制備出細(xì)晶陶瓷的同時降低材料電阻率，制備得到晶粒細(xì)小、室溫電阻率低并具有較大升阻比的PTC熱敏陶瓷；本發(fā)明還可以降低陶瓷的燒結(jié)溫度，改善陶瓷與電極的收縮匹配性能。
（2）發(fā)明專利：ZnO Multilayer chip varistor with base mental inner electrodes and preparation method thereof
發(fā)明人：傅邱云,周東祥,胡云香,鄭志平,羅為,陳濤
專利號：US 2015/0145638A1
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式ZnO壓敏電阻器及其制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的ZnO壓敏電阻材料配方適用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬Ni為內(nèi)電極，可以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性完成，適用于大規(guī)模生產(chǎn)；（4）本發(fā)明方法所制備出的多層片式壓敏電阻器非線性系數(shù)可達(dá)到30以上，壓敏電壓小于20V，尺寸可以是英制片式電阻封裝尺寸0805、0603、0402和0201。
（3）發(fā)明專利：一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式ZnO壓敏電阻器及其制備方法
發(fā)明人：傅邱云,周東祥,胡云香,鄭志平,羅為,陳濤
專利號：ZL201310594610.4
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式ZnO壓敏電阻器及其制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的ZnO壓敏電阻材料配方適用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬Ni為內(nèi)電極，可以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性完成，適用于大規(guī)模生產(chǎn)；（4）本發(fā)明方法所制備出的多層片式壓敏電阻器非線性系數(shù)可達(dá)到30以上，壓敏電壓小于20V，尺寸可以是英制片式電阻封裝尺寸0805、0603、0402和0201。
（4）發(fā)明專利：Laminated Chip Composite Resistor Combining Thermistor and Varistor and Preparation Method Thereof
發(fā)明人：傅邱云,周東祥,胡云香,鄭志平,羅為,陳濤
專利號：US2015/0145639A1
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種疊層片式熱壓敏復(fù)合電阻器及其制備方法，復(fù)合電阻器由壓敏電阻部分、中間過渡層部分及熱敏電阻部分疊加組成，壓敏電阻部分的結(jié)構(gòu)為壓敏電阻瓷片——第一電極層——壓敏電阻瓷片——第二電極層的交疊層壓組合，第一電極層與第二電極層分別錯開；熱敏電阻部分的結(jié)構(gòu)為：熱敏電阻瓷片——第三電極層——熱敏電阻瓷片——第四電極層的交疊層壓組合，第三電極層與第四電極層分別錯開，中間過渡層部分位于熱敏電阻部分與壓敏電阻部分的中間。本發(fā)明采用賤金屬鎳為內(nèi)電極的共燒技術(shù)，可降低成本、簡化制備工藝，提高器件的可靠性，減少熱傳導(dǎo)路徑，加強(qiáng)熱敏器件對壓敏電阻的保護(hù)作用，同時可以實(shí)現(xiàn)電路的過熱過電流過電壓等多重保護(hù)。
（5）發(fā)明專利：一種疊層片式熱壓敏復(fù)合電阻器及其制備方法
發(fā)明人：傅邱云,周東祥,胡云香,鄭志平,羅為,陳濤
專利號：ZL201310601977.4
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種疊層片式熱壓敏復(fù)合電阻器及其制備方法，復(fù)合電阻器由壓敏電阻部分、中間過渡層部分及熱敏電阻部分疊加組成，壓敏電阻部分的結(jié)構(gòu)為壓敏電阻瓷片——第一電極層——壓敏電阻瓷片——第二電極層的交疊層壓組合，第一電極層與第二電極層分別錯開；熱敏電阻部分的結(jié)構(gòu)為：熱敏電阻瓷片——第三電極層——熱敏電阻瓷片——第四電極層的交疊層壓組合，第三電極層與第四電極層分別錯開，中間過渡層部分位于熱敏電阻部分與壓敏電阻部分的中間。本發(fā)明采用賤金屬鎳為內(nèi)電極的共燒技術(shù)，可降低成本、簡化制備工藝，提高器件的可靠性，減少熱傳導(dǎo)路徑，加強(qiáng)熱敏器件對壓敏電阻的保護(hù)作用，同時可以實(shí)現(xiàn)電路的過熱過電流過電壓等多重保護(hù)。
（6）發(fā)明專利：多層片式陶瓷元件內(nèi)電極用導(dǎo)電漿料及其制備方法和應(yīng)用
發(fā)明人：傅邱云,王文化,周東祥,劉歡,胡云香,鄭志平,羅為
專利號：ZL201410326754.6
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種多層片式陶瓷元件內(nèi)電極用導(dǎo)電漿料及其制備方法和應(yīng)用。該漿料包括Ni-ZnO復(fù)合粉體和有機(jī)粘合劑，其中，Ni-ZnO復(fù)合粉體的質(zhì)量百分比為70～80％，有機(jī)粘合劑的質(zhì)量百分比為20～30％；Ni-ZnO復(fù)合粉體為ZnO包裹的Ni粉。該方法包括如下步驟：制備Ni-ZnO復(fù)合粉體；將質(zhì)量百分比為70～80％的Ni-ZnO復(fù)合粉體和質(zhì)量百分比為20～30％的有機(jī)粘合劑混合后球磨，得到導(dǎo)電漿料。本發(fā)明以Ni-ZnO復(fù)合粉體為導(dǎo)電相，采用溶液法合成Ni-ZnO復(fù)合粉體，提高了內(nèi)電極的抗氧化性能，改善了電極與陶瓷的共燒匹配性，且工藝簡單，成本低，具有廣泛的應(yīng)用前景。
（7）發(fā)明專利：一種制備細(xì)晶鈦酸鋇熱敏陶瓷的方法及其產(chǎn)品
發(fā)明人：傅邱云,周東祥,鄭志平,胡云香,羅為,高超
專利號：ZL201510579678.4
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種制備細(xì)晶鈦酸鋇熱敏陶瓷的方法及其產(chǎn)品，其屬于電子陶瓷元件領(lǐng)域。方法包括：S1將納米鈦酸鋇熱敏粉體、施主粉體、受主粉體以及助燒劑BN執(zhí)行混合，納米鈦酸鋇熱敏粉體的粒徑為20nm～500nm；S2將原料粉體制備成片式疊層生坯并排膠，獲得待燒結(jié)坯體；S3對待燒結(jié)坯體執(zhí)行燒結(jié)，先在950℃～1100℃保溫5min～30min，接著將溫度調(diào)節(jié)至900℃～1000℃并保溫30min～12h，獲得鈦酸鋇成型陶瓷；S4在600℃～850℃溫度范圍內(nèi)，對鈦酸鋇成型陶瓷執(zhí)行再氧化。本發(fā)明方法制得的鈦酸鋇細(xì)晶熱敏陶瓷平均晶粒可以在120nm～800nm內(nèi)調(diào)控，致密度可以在80％～95％內(nèi)調(diào)控，室溫電阻率低，還具有較大的升阻比。
（8）發(fā)明專利：一種疊層片式ZnO壓敏電阻器及其制備方法
發(fā)明人：傅邱云,陳濤,周東祥,胡云香,鄭志平,羅為
專利號：ZL201510598234.5
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種疊層片式ZnO壓敏電阻器及其制備方法。壓敏電阻器由瓷片和Ni電極交替層壓生成，兩端涂有端電極；所述瓷片由ZnO，Bi，Mn和Co的氧化物，以及BN構(gòu)成，其中，ZnO的摩爾分?jǐn)?shù)為93％～98.7％，Bi的摩爾分?jǐn)?shù)為0.2％～5％，Mn和Co的氧化物的摩爾分?jǐn)?shù)均為0.01％～5％，BN的摩爾分?jǐn)?shù)為0.1％～6％。本發(fā)明采用賤金屬Ni作為內(nèi)電極，同時能防止Ni電極氧化，并有效抑制ZnO及其他添加物在還原氣氛中被還原，促進(jìn)ZnO在燒結(jié)過程中成瓷，壓敏電阻器具備良好的非線性，制作成本低，適于大規(guī)模生產(chǎn)。
（9）發(fā)明專利：一種寬溫區(qū)負(fù)溫度系數(shù)熱敏陶瓷材料及其制備方法
發(fā)明人：傅邱云,周東祥
專利號：ZL201810346749.X
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種寬溫區(qū)負(fù)溫度系數(shù)熱敏陶瓷材料及其制備方法，其中負(fù)溫度系數(shù)熱敏陶瓷材料的原材料組成包括BaTiO3、TiO2、M1O、M2O、M3O、M4O以及M5O，M1為Sm、Nd、Y、La、以及Nb中至少1種元素；M2為Si、Al、以及Ti中的至少2種元素；M3為Sr、以及Pb中的至少1種元素與Ca元素的組合；M4為Sb、以及Bi中的至少1種元素；M5為Na、K、以及Li中的至少1種元素。本發(fā)明通過對陶瓷材料關(guān)鍵的組成成分，相應(yīng)制備方法的整體流程工藝、各個反應(yīng)步驟的條件參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)和進(jìn)一步優(yōu)選，通過對鈦酸鋇基半導(dǎo)體熱敏陶瓷進(jìn)行摻雜改性，能夠獲得鈦酸鋇基、測量溫區(qū)達(dá)300度以上的寬溫區(qū)NTC熱敏陶瓷材料。
（10）發(fā)明專利：一種具有高溫度系數(shù)的熱敏陶瓷材料及其制備方法
發(fā)明人：傅邱云,周東祥,嚴(yán)亮
專利號：ZL201811135337.8
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明屬于電子陶瓷元件制備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種具有高的正溫度系數(shù)的熱敏陶瓷材料及其制備方法。該熱敏陶瓷材料的主要成分的化學(xué)式為(Ca,其中Q為堿金屬元素Na或K，x取值范圍為0.01?0.06，y取值范圍為0.01?0.2。本發(fā)明方法制得的鈦酸鋇熱敏陶瓷具有較高的溫度系數(shù)，開關(guān)溫度可以調(diào)節(jié)，溫度系數(shù)(α)大于30％。
（11）發(fā)明專利：一種負(fù)溫度系數(shù)的熱敏材料及其制備方法
發(fā)明人：傅邱云,鄒小華,周東祥,鄭志平,羅為
專利號：ZL201910145180.5
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種負(fù)溫度系數(shù)的熱敏材料及其制備方法，其中該材料具體是屬于Mn?Co?Ni?O體系的負(fù)溫度系數(shù)熱敏材料，該材料中同時摻雜有銅元素和鈣元素。本發(fā)明通過鈣銅共摻雜的方法得到相應(yīng)的負(fù)溫度系數(shù)的熱敏材料，尤其是負(fù)溫度系數(shù)的熱敏薄膜(例如，可以通過金屬有機(jī)物熱分解法來制備NTC熱敏薄膜)，進(jìn)行不同的鈣摻雜來降低薄膜熱敏電阻的老化率，提升穩(wěn)定性能。
（12）發(fā)明專利：一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏薄膜的制備方法
發(fā)明人：傅邱云,李睿鋒,周東祥,鄭志平,羅為
專利號：ZL201910145223.X
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏薄膜的制備方法，包括以下步驟：(1)襯底的清洗；(2)熱敏薄膜制備：采用磁控濺射法將Mn?Co?Ni系合金靶材濺射到襯底上得到Mn?Co?Ni系薄膜；(3)退火處理：將Mn?Co?Ni系薄膜在含有氧氣的氣氛下進(jìn)行退火氧化處理，即可得到Mn?Co?Ni?O系負(fù)溫度系數(shù)熱敏薄膜。本發(fā)明通過對制備方法整體流程工藝設(shè)計，尤其是關(guān)鍵濺射工藝所采用的靶材料進(jìn)行改進(jìn)，以Mn?Co?Ni系合金作為靶材，與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠有效解決磁控濺射法制備熱敏薄膜時陶瓷靶材容易碎裂、利用率低的問題，制備方法操作簡單，容易實(shí)現(xiàn)，重復(fù)性好。
（13）發(fā)明專利：一種低阻熱敏陶瓷材料及其制備方法與應(yīng)用
發(fā)明人：傅邱云,嚴(yán)亮,周東祥
專利號：ZL201910153087.9
專利權(quán)人：華中科技大學(xué)
簡介：本發(fā)明公開了一種低阻熱敏陶瓷材料及制備方法與應(yīng)用，屬于電子陶瓷元件技術(shù)領(lǐng)域。該熱敏陶瓷材料的主要成分的化學(xué)式為((Bi0.5Q0.5)xBam x)TiO3；其中Q為堿金屬元素Na或K；其中m的取值范圍為1≤m≤1.007，x的取值范圍為0.001≤x≤0.007。制備方法為將鈦酸鉍鈉或鈦酸鉍鉀陶瓷粉末與碳酸鋇粉末、二氧化鈦粉混合后進(jìn)行煅燒，再依次通過流延、疊片、壓片和切片，得到成型生坯；將成型生坯在溫度大于等于280℃條件下分解流延過程中混入的有機(jī)物，再在還原氣氛中煅燒，得到陶瓷塊體；再將陶瓷塊體再在含氧氣氛中煅燒。本發(fā)明方法制得的片式鈦酸鋇基熱敏陶瓷具有極低的室溫電阻率，較高的升阻比，較高的溫度系數(shù)。
二、擬交易價格
作價投資：1000萬元
三、價格形成過程
學(xué)校委托武漢中康正資產(chǎn)評估有限公司對該成果進(jìn)行資產(chǎn)評估，評估價值為人民幣999.65萬元。經(jīng)全體發(fā)明人同意，并與其他出資方協(xié)商，各方同意該成果以協(xié)議定價1000萬元作價投資。
特此公示，公示期15日，自2021年11月15日起至2021年11月29日。如有異議，請于公示期內(nèi)以書面形式實(shí)名向我辦反映。
聯(lián)系人：曹攀輝
聯(lián)系電話：87558732
科學(xué)技術(shù)發(fā)展院
2021年11月15日
